前言：
内存是电脑必不可少的部件，也是影响电脑性能的关键部件。而对于内存颗粒，则是内存条上必不可少的一部分，同时也与内存的性能息息相关。一条完整的内存条是由PCB板、SPD芯片和内存颗粒构成的，其中以颗粒最为重要，内存的容量、频率等都由内存颗粒决定的。而正因为颗粒的重要性，颗粒也成为了不少奸商造假的地方所在。因此，我们有必要对内存颗粒进行一个完整的认识，从而更好的选购内存。
一、内存颗粒巡礼
1、内存颗粒介绍
相对于市面上越来越多的内存品牌，内存颗粒的生产厂商要显得少了很多，目前主要有三星(SAMSUNG)、现代(Hynix)、英飞凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亚(NANYA)、华邦(Winbond)和茂矽(MOSEL)等等。这些内存颗粒厂商都具有相当实力，其中名列三甲的有三星、现代以及美光。
现代D43颗粒
在很多玩家心目中，现代D43内存颗粒有着兼容性好、超频出色的特点，而采用HY D43芯片的产品更是被众多玩家所追捧。如果我们将它细分的话，D43内存颗粒又根据生产批次的不同，在编号上分为AT-D43、BT-D43、CT-D43和DT-D43。其中又以BT-D43和DT-D43最为常见，口碑也是最好的。
Hynix D43颗粒
三星UCCC内存颗粒
三星(SAMSUNG)内存颗粒被誉为DDR时代的终结者，它在512MB时代的TCCD和TCC5颗粒，1GB时代的UCCC颗粒都是内存界的佼佼者。UCCC颗粒早期专供服务器高端ECC内存使用，后来才逐渐进入民用领域。前期的产品依旧保持着服务器内存的特点，只以稳定性见长，超频性能一般。但三星为了重夺高频内存之王的宝座，在520周期以后生产的UCCC颗粒做了进一步制程优化，使得高频、海量、稳定三全齐美。
三星TCCC颗粒
除了上面提到的TCCD、TCC5、UCCC内存颗粒，三星还有一TCCC颗粒，TCCC也是一款非常优秀的内存颗粒，被用于三星原厂的“金条”中，它的价格要比TCCD便宜得多，而且兼容性也非常好，不过价格还是比普通内存颗粒高了一些。三星TCCC内存颗粒除了在三星自有品牌内存上可以看到外，很少在其他品牌内存上出现过。
SAMSUNG TCCC颗粒
美光MT-5BC和MT-5BG
美光(Micron)作为
世界第二大内存颗粒制造商，其产品却在国内极少现身。这是因为美光很少将自己的内存颗粒卖给其他内存品牌，其极品颗粒一直是专供自家DIY品牌Crucial使用。目前市场上美光的内存颗粒主要有MT-5BC和MT-5BG两个型号，其中MT-5BC的超频性能更优秀一些。镁光的内存颗粒有非常明显的特点，在芯片的两端分别有个半圆形的缺角，独特的外形让人很容易辨认。
2、认识内存颗粒编号含义
认识内存的性能参数一般方法是读取SPD芯片中的信息，但由于SPD信息需要在开机状态下查看，而且有一些不法商家也会刷写SPD芯片中的信息来欺骗消费者。因此，认识内存更好的办法是识别内存颗粒的编号，当然不能是被打磨过的。通过查看颗粒编号的含义，可以更好地识别内存是否为正品。下面我们以市面上最常见的HY内存颗粒为例简单介绍内存颗粒编号的含义。
上图HY内存颗粒的编号为HY5DU56822BT-D43
这串编号是由14组数字组成的，这14组数字代表着14组不同的重要参数，分别如下：
·“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
·“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。
·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)
·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)
·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)
·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)
·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。
·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)
·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。
·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。
·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)
·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)
因此，通过编号“HY5DU56822BT-D43”的内存颗粒我们可以了解到，这是一款DDR SDRAM内存，容量为256MB，采用TSOP封装，速度为DDR400。
由上面各个编号可以看出，其中最重要的是第13个编号，它明确的告诉我们这款内存实际的最高工作频率是怎样。例如你的内存的颗粒第13位编号是“J”，而又运行在DDR400的频率下，那么这款内存很可能是被超频使用，超频使用的内存不仅稳定性能大打折扣，而且其寿命也会受到影响。
二、见招拆招 教你识别打磨过的内存颗粒
打磨，也叫Remark，是一种比较常见的造假方式，通常的手段是把低频率的颗粒打磨为高频率的，或是杂牌颗粒打磨成品牌颗粒等。这种假冒的内存在容量上一般没有问题，但在运行的稳定性和性能等方面则大打折扣，质量和寿命也都经不起考验，而且被打磨过的内存无法享受正品内存应有的质保服务。
如下图所示的内存颗粒就是被打磨过的，第一个打磨的颗粒是通过擦除颗粒上的参数后重新写上。“…BT-H”被打磨成了“…BT-D43”，这样DDR266的内存就摇身一变为DDR400了。
另外一种打磨的手法是，不擦除颗粒上的参数而直接改写，如下图所示。编号为“…22DT-J”的颗粒被打磨成“…22DT-D43”，DDR333的内存也被假冒成DDR400了。不法商家在对颗粒进行打磨后便将内存超频使用，以此来提高价格进行谋取暴利。
为了防止买到被打磨过的内存，我们在选购时可以通过以下几点来判断。
第一，看内存颗粒上的编码是否清晰锐利，各颗粒上的编号是否一致。再用力搓一下编码看是否掉色脱落。
第二，看内存颗粒四周的管脚是否有浸锡、补焊的痕迹，电路板和金手指是否干净无划痕。另外对于品牌内存，其PCB板一般采用6层设计，对于那些4层PCB板的内存则需要多加小心。
第三，看内存金手指上方的排阻与电容用料是否充足，排列是否整齐。同时留意是否有SPD芯片，以及SPD芯片的质量。
第四，根据不同的内存品牌看在内存上的防伪标志。例如防伪镭射标签、防伪芯片、防伪序列号等等。
